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SiA811DJ
Vishay Siliconix
MOSFET TYPICAL CHARACTERISTICS T A = 25 °C, unless otherwise noted
10
T J = 150 °C
0.3
0.25
I D = 2.8 A
1
T J = 25 °C
0.2
T A = 125 °C
0.15
0.1
T A = 25 °C
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1
1.2
0.05
0
1
2
3
4
5
0.9
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Soure-Drain Diode Forward Voltage
20
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0. 8
15
0.7
I D = 250 μ A
10
0.6
5
0.5
0.4
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
10
P u lse (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Limited by R DS(on)*
IDM limited
I D(on) limited
100 μs
1
0.1
0.01
0.1
T A = 25 °C
Single Pulse
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
BVDSS limited
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Case
Document Number: 74460
S-80436-Rev. B, 03-Mar-08
www.vishay.com
5
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